真空炉用石墨制品：高温真空下的 “耐造担任”
真空炉的“心脏部件”——石墨制品，以2800℃以下功能安稳、半导体级洁净度和导电导热可控三大优势，成为高端制作的隐形柱石。从发热体到密封件，它们在极端环境下保证工艺安稳性，支撑起半导体、航空航天等范畴的精细制作。
在半导体芯片退火、航空航天资料烧结等高端制作范畴，真空炉是中心设备，而真空炉用石墨制品则是其 “心脏部件”—— 从1000℃的硅片分散到2000℃的钛合金熔炼，从0.1Pa的高真空到惰性气体维护气氛，石墨制品以 “耐高温、抗腐蚀、低蒸发” 的特性，撑起了真空炉内的精细制作。今天就来详解这些专为真空炉设计的石墨制品，看看它们如何在极端环境下保证工艺安稳性，成为高端制作的 “隐形柱石”。
一、真空炉为什么非石墨制品不可？3大中心优势无可代替
真空炉的工作环境（高温、低气压、洁净要求）对资料是 “终极考验”，而石墨制品的3大特性完美适配：
耐超高温+尺度安稳，金属和陶瓷都 “认输”
真空炉的工艺温度常达1200-2000℃，金属发热体（如钼、钨）在 1600℃以上会软化变形，陶瓷载具（如氧化铝）在急冷急热时会炸裂，而高纯石墨（固定碳≥99.9%）在2800℃以下功能安稳，热膨胀系数仅是金属的 1/10）。某航空资料厂的测验显现，石墨发热体在1800℃真空环境下连续工作100小时，电阻变化率仅2%，而钨丝发热体达15%。
化学惰性强，不污染工件，洁净度达 “半导体级”
真空环境下，资料的蒸发物会直接污染工件（如硅片外表若有0.1μm 杂质，就或许导致芯片失效）。石墨在1600℃以下的蒸发率＜0.01%，且不与金属、半导体资料反应（如不与硅、钛、镍产生化学反应）。而陶瓷中的氧化物（如 Al2O2）或许开释氧原子，金属则会蒸发产生金属粉尘，均无法满足半导体级洁净度要求。
导电导热可控，适配多样化工艺需求
石墨的电阻率可通过纯度调整，既能做发热体（低电阻），又能做绝缘载具（外表氮化处理后绝缘）；导热系数是陶瓷的5-10倍（150-200W/m2K），能让工件受热均匀（温差≤5℃），这是真空烧结中保证产品共同性的要害。
二、4大中心制品：从 “发热” 到 “承载”，覆盖真空炉全流程
真空炉用石墨制品不是单一产品，而是形成 “发热 - 承载 - 导流 - 密封” 的产品矩阵：
石墨发热体：真空炉的 “加热中心”
分为棒状、板状、管状三种，选用等静压成型的高密度石墨（密度≥1.88g/cm3）制成，外表粗糙度 Ra≤0.8μm（削减尖端放电）。在半导体分散炉中，石墨发热体需精准控制温度梯度（±1℃/cm），保证硅片均匀掺杂；在高温烧结炉中，管状发热体能形成环形加热区，让大型工件（如航空叶片）受热共同。某12英寸晶圆厂的石墨发热体，使用寿命达 500 次（每次8小时），是金属发热体的3倍。
石墨载具：工件的 “高温托盘”
包含石墨舟、石墨板、石墨坩埚等，用于承载工件。中心要求是：
平面度≤0.02mm/m（避免工件倾斜导致受热不均）；
外表经氮化硼（BN）涂层处理（防粘工件，如防止陶瓷坯体烧结时粘连）。
在光伏硅片退火工艺中，石墨舟的槽位公差需控制在±0.01mm，保证 156mm硅片的受热面积误差＜1%，转换效率波动≤0.2%。
石墨导流件：气体与电流的 “通道”
在真空炉的气路和电路系统中，石墨导流件（如气体散布板、电极导流柱）需同时满足：
气体导流件：通气孔直径误差≤0.05mm，保证气流均匀（如CVD 涂层工艺中，气体散布不均会导致膜厚误差）；
电极导流柱：耐高温（1500℃下不氧化）。某镀膜厂的石墨导流板，让涂层均匀度从85%提升至98%。
石墨密封件：真空环境的 “屏障”
用于炉门、法兰等部位的密封，选用柔性石墨（增加3%橡胶增韧），压缩率≥30%，回弹率≥15%，在1000℃下仍能坚持良好密封性（漏率≤1×10Pam/s），比金属密封垫的适用温度规模宽 500℃。
